Биполярный транзистор D965A-Q Даташит. Аналоги
Наименование производителя: D965A-Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150(typ) MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
D965A-Q Datasheet (PDF)
2sd965a-q 2sd965a-r 2sd965a-s.pdf

2SD965ANPN Transistors3 Features2 Low saturation voltage1.Base1 Large Collector Power Dissipation and Current2.Collector3.Emitter Simplified outline(SOT-89) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 40 Collector - Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter - Base Voltage VEBO 7 Collector Current - Contin
2sd965 2sd965a.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD965/A NPN SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * UTC 2SD965: Collector-Emitter voltage up to 20 V * UTC 2SD965A: Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assi
d965ass.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD D965SS / D965ASS NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * D965SS : Collector-Emitter voltage up to 20 V * D965ASS : Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit ORDERING INFORMATION Order Number P
2sd965a.pdf

2SD965A 5 A, 40 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES 4 Audio amplifier 1 Flasg unit of camera 23A Switching circuit ECB C E B DCLASSIFICATION OF hFE(2) Rank Q R SF G230 - 380 Range 340 - 600 560 - 800 H KJ LMilli
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC1595 | 2SC6040 | 2N1081 | DZT5551Q | 2SC4006 | D45VH2 | 3DG12
History: 2SC1595 | 2SC6040 | 2N1081 | DZT5551Q | 2SC4006 | D45VH2 | 3DG12



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda