FHP13007A-H2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHP13007A-H2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 26

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для FHP13007A-H2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHP13007A-H2 даташит

 5.1. Size:429K  feihonltd
 fhp13007a.pdf pdf_icon

FHP13007A-H2

TRANSISTOR FHP13007A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 8A High breakdown voltage VCBO 700V High switching speed VCEO 400V High current capability PC 80W High reliability RoHS RoHS product APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballas

 8.1. Size:262K  feihonltd
 fhp130n10a.pdf pdf_icon

FHP13007A-H2

 9.1. Size:1075K  feihonltd
 fhp13n50a fhf13n50a.pdf pdf_icon

FHP13007A-H2

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50A/FHF13N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.34 Fast switching Qg-typ 45nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 9.2. Size:971K  feihonltd
 fhp13n50c fhf13n50c.pdf pdf_icon

FHP13007A-H2

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50C/FHF13N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11pF) Low Crss (typical 11pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.4 Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: D965A-R, D965A-S, E13003DA, FHA13009A, FHA13009A-H1, FHA13009A-H2, FHP13007A, FHP13007A-H1, 8050, J13007-1A, J13007-1A-H1, J13007-1A-H2, KSP42A, KSP92A, S8050DA, S8050DAF, S8050DAF-C