FHT5401-ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHT5401-ME

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FHT5401-ME

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHT5401-ME даташит

 ..1. Size:470K  cn fh
 fht5401-me.pdf pdf_icon

FHT5401-ME

FHT5401-ME PNP Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 PNP PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS General purpose application,switching. PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Additiona

Другие транзисторы: MMDT5551DW, MMDT9014DW, FHS2222A-ME, FHS2907A-ME, FHS3904-ME, FHS3906-ME, FHT1298O-ME, FHT1298Y-ME, TIP42C, FHT5551-ME, FHT8050O, FHT8050Y, FHT8050G, FHT8050D, FHT8050O-ME, FHT8050Y-ME, FHT8050G-ME