FHT8050D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHT8050D

Маркировка: 7Y.

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FHT8050D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHT8050D даташит

 7.1. Size:464K  cn fh
 fht8050-me.pdf pdf_icon

FHT8050D

FHT8050-ME NPN Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 NPN NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS General purpose application,switching. PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Additiona

 7.2. Size:218K  cn fh
 fht8050.pdf pdf_icon

FHT8050D

FHT8050 APPROVAL SHEET FHT8050 CUSTOMER NAME PRODUCT NAME SOT-23 CUSTOMER PART NAME FENGHUA PART NAME FHT8050Y-E DATE 2008 10 21 CUSTOMER MANUFACTURER APPROVAL APPROVAL DESIGNER CHECKER APPROVER DESIGNER CHECKER AUTHORITY /

Другие транзисторы: FHS3906-ME, FHT1298O-ME, FHT1298Y-ME, FHT5401-ME, FHT5551-ME, FHT8050O, FHT8050Y, FHT8050G, 2N2222A, FHT8050O-ME, FHT8050Y-ME, FHT8050G-ME, FHT9012O-ME, FHT9012Y-ME, FHT9012G-ME, FHT9013O-ME, FHT9013Y-ME