FHTA42-ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHTA42-ME

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FHTA42-ME

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHTA42-ME даташит

 ..1. Size:596K  cn fh
 fhta42-me.pdf pdf_icon

FHTA42-ME

FHTA42-ME NPN Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 NPN NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS High voltage switching blow up . PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Additional cod

Другие транзисторы: FHT9014G-ME, FHT9014L-ME, FHT9015O-ME, FHT9015Y-ME, FHT9015G-ME, FHT9015L-ME, FHTA1514R, FHTA1514S, 2SD2499, FHTA8050O-ME, FHTA8050Y-ME, FHTA8050G-ME, FHTA8550O-ME, FHTA8550Y-ME, FHTA8550G-ME, FHTA92-ME, FHTL8050O-ME