FHTA92-ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHTA92-ME

Маркировка: 2D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FHTA92-ME

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHTA92-ME даташит

 ..1. Size:489K  cn fh
 fhta92-me.pdf pdf_icon

FHTA92-ME

FHTA92-ME PNP Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 PNP PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS High voltage switching blow up . PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Additional cod

Другие транзисторы: FHTA1514S, FHTA42-ME, FHTA8050O-ME, FHTA8050Y-ME, FHTA8050G-ME, FHTA8550O-ME, FHTA8550Y-ME, FHTA8550G-ME, 2SC945, FHTL8050O-ME, FHTL8050Y-ME, FHTL8050G-ME, FHTL8050M-ME, 13001, 2SB649AD, 2SB649AD-B, 2SB649AD-C