2SB649AD-B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB649AD-B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для 2SB649AD-B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB649AD-B даташит

 6.1. Size:900K  blue-rocket-elect
 2sb649ad.pdf pdf_icon

2SB649AD-B

2SB649AD Rev.A May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 PNP Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features 2SD669AD Complementary pair with 2SD669AD. / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / Pinni

 7.1. Size:293K  utc
 2sb649 2sb649a.pdf pdf_icon

2SB649AD-B

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB649/A PNP SILICON TRANSISTOR BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 1 1 SOT-223 SOT-89 APPLICATIONS 1 * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 1 2SD669/A TO-252 TO-92 1 1 TO-126 TO-92NL 1 1 TO-126S TO-126C ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3

 7.2. Size:35K  hitachi
 2sb649a.pdf pdf_icon

2SB649AD-B

2SB649, 2SB649A Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD669/A Outline TO-126 MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 2 3 2SB649, 2SB649A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Ratings Item Symbol 2SB649 2SB649A Unit Collector to base voltage VCBO 180 180 V Collector to emitter voltage VCEO 120 160 V Emitter to base v

 7.3. Size:280K  jiangsu
 2sb649 2sb649a.pdf pdf_icon

2SB649AD-B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB649/2SB649A TRANSISTOR (PNP) TO- 126 FEATURES Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SD669/A 1. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. COLLECTOR Symbol Parameter Value Unit 3. BASE VCBO Collector-Base Voltage -180 V VCEO Collector-Emit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FHTA8550G-ME, FHTA92-ME, FHTL8050O-ME, FHTL8050Y-ME, FHTL8050G-ME, FHTL8050M-ME, 13001, 2SB649AD, D209L, 2SB649AD-C, 2SB649AD-D, 2SD1857D, 2SD1857D-P, 2SD1857D-Q, 2SD1857D-R, 2SD669AD, 2SD669AD-B