2SA1186O - описание и поиск аналогов

 

2SA1186O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1186O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SA1186O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1186O даташит

 ..1. Size:197K  cn sptech
 2sa1186o 2sa1186p 2sa1186y.pdf pdf_icon

2SA1186O

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1186 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC2837 APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -150 V CBO V Collector-Emit

 7.1. Size:191K  jmnic
 2sa1186.pdf pdf_icon

2SA1186O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1186 DESCRIPTION With TO-3PN package High current capability Complement to type 2SC2837 APPLICATIONS Audio and general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= )

 7.2. Size:27K  sanken-ele
 2sa1186.pdf pdf_icon

2SA1186O

LAPT 2SA1186 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2837) Application Audio and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) External Dimensions MT-100(TO3P) Symbol Symbol Ratings Unit Conditions Ratings Unit 0.2 4.8 0.4 15.6 0.1 ICBO VCB= 150V 100max A 9.6 2.0 VCBO 150 V IEBO VEB= 5V 100m

 7.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sa1186.pdf pdf_icon

2SA1186O

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1186 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC2837 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1180A, 2SA1182, 2SA1182O, 2SA1182Y, 2SA1183, 2SA1184, 2SA1185, 2SA1186, C5198, 2SA1186P, 2SA1186Y, 2SA1187, 2SA1188, 2SA1189, 2SA119, 2SA1190, 2SA1191

 

 

 

 

↑ Back to Top
.