Справочник транзисторов. 2SA1186O

 

Биполярный транзистор 2SA1186O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1186O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3P
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1186O Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  cn sptech
 2sa1186o 2sa1186p 2sa1186y.pdf pdf_icon

2SA1186O

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1186DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2837APPLICATIONSFor audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -150 VCBOV Collector-Emit

 7.1. Size:191K  jmnic
 2sa1186.pdf pdf_icon

2SA1186O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1186 DESCRIPTION With TO-3PN package High current capability Complement to type 2SC2837 APPLICATIONS Audio and general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=)

 7.2. Size:27K  sanken-ele
 2sa1186.pdf pdf_icon

2SA1186O

LAPT 2SA1186Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2837)Application : Audio and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)SymbolSymbol Ratings Unit Conditions Ratings Unit0.24.80.415.60.1ICBO VCB=150V 100max A 9.6 2.0VCBO 150 VIEBO VEB=5V 100m

 7.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sa1186.pdf pdf_icon

2SA1186O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1186DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2837Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA1182

 

 
Back to Top

 


 
.