ZXTN3035CLP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXTN3035CLP

Маркировка: 4S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.46 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: X1-DFN1006-3

 Аналоги (замена) для ZXTN3035CLP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZXTN3035CLP даташит

 ..1. Size:245K  diodes
 zxtn3035clp.pdf pdf_icon

ZXTN3035CLP

A Product Line of Diodes Incorporated ZXTN3035CLP 35V NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Ultra-Small Leadless Surface Mount Package Case X1-DFN1006-3 ESD HBM 8kV, MM 400V Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 3.0A Maximum Peak Collector Current Moisture Sensitivity Level 1

Другие транзисторы: DNLS350, DZT5551Q, FMMT459Q, FMMT491Q, FMMT560Q, FZT653Q, MMDT2227Q, ZXTN2005ZQ, 13007, ZXTN4240F, ZXTP2009ZQ, HR13003, HT13003, RD9FE, BF850BF, BC857BF, BC858BL3