Справочник транзисторов. ZXTP2009ZQ

 

Биполярный транзистор ZXTP2009ZQ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZXTP2009ZQ
   Маркировка: 53Z
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 152 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 53 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ZXTP2009ZQ

 

 

ZXTP2009ZQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  diodes
zxtp2009zq.pdf

ZXTP2009ZQ
ZXTP2009ZQ

ZXTP2009ZQ 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR Description Mechanical Data This bipolar junction transistor (BJT) is designed to meet the stringent Case: SOT89 requirement of automotive applications. Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. UL Flammability Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Terminals: F

 5.1. Size:126K  diodes
zxtp2009z.pdf

ZXTP2009ZQ
ZXTP2009ZQ

ZXTP2009Z40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTORIN SOT89SUMMARYBVCEO = -40V : RSAT = 29m ; IC = -5.5ADESCRIPTIONPackaged in the SOT89 outline this new low saturation 40V PNP transistoroffers low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits, lineswitching and various driving and power management functions.FEATURESSOT89 Extremely low equivale

 7.1. Size:489K  diodes
zxtp2008z.pdf

ZXTP2009ZQ
ZXTP2009ZQ

GreenZXTP2008Z 30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR Features Mechanical Data BVCEO > -30V Case: SOT89 IC = -5.5A Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM = -20A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(SAT)

 7.2. Size:444K  diodes
zxtp2008g.pdf

ZXTP2009ZQ
ZXTP2009ZQ

ZXTP2008G Green30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > -30V Case: SOT223 IC = -5.5A Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM = -20A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(SAT)

 7.3. Size:94K  diodes
zxtp2006e6.pdf

ZXTP2009ZQ
ZXTP2009ZQ

ZXTP2006E620V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6SUMMARYBVCEO = -20V : RSAT = 31m ; IC = -3.5ADESCRIPTIONPackaged in the SOT23-6 outline this new lowsaturation 20V PNP transistor offers extremely low onstate losses making it ideal for use in DC-DC circuitsand various driving and power management functions.FEATURESSOT23-6 3.5 Amps continuous current Extre

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top