2SA1190. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1190
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 450
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SA1190
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1190 даташит
2sa1190 2sa1191.pdf
2SA1190, 2SA1191 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SC2855 and 2SC2856 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SA1190, 2SA1191 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SA1190 2SA1191 Unit Collector to base voltage VCBO 90 120 V Collector to emitter voltage VCEO 90 120 V Em
2sa1199.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Другие транзисторы: 2SA1186, 2SA1186O, 2SA1186P, 2SA1186Y, 2SA1187, 2SA1188, 2SA1189, 2SA119, BD140, 2SA1191, 2SA1193, 2SA1194, 2SA1194K, 2SA1195, 2SA1196, 2SA1197, 2SA1198
History: BTN2369N3 | BTN3904S3 | MM1164 | 2N6735 | 2SB986R | BSR16 | 2SB98
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940








