BFP193W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP193W

Маркировка: RC*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP193W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP193W даташит

 ..1. Size:59K  siemens
bfp193w.pdfpdf_icon

BFP193W

BFP 193W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 193W RCs Q62702-F1577 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Uni

 ..2. Size:531K  infineon
bfp193w.pdfpdf_icon

BFP193W

BFP193W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 3 For linear broadband amplifiers 2 4 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration

 8.1. Size:60K  siemens
bfp193.pdfpdf_icon

BFP193W

BFP 193 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 193 RCs Q62702-F1282 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit

 8.2. Size:544K  infineon
bfp193.pdfpdf_icon

BFP193W

BFP193 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 3 For linear broadband amplifiers 2 4 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz 1 Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Pa

Другие транзисторы: RD9FE, BF850BF, BC857BF, BC858BL3, BF776, BFP182R, BFP182W, BFP183W, 2SD1047, BFP196, BFP405, BFP405F, BFP410, BFP420, BFP450, BFP520F, BFP540