BFP193W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BFP193W
Маркировка: RC*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: SOT343
Аналоги (замена) для BFP193W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFP193W даташит
bfp193w.pdf
BFP 193W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 193W RCs Q62702-F1577 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Uni
bfp193w.pdf
BFP193W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 3 For linear broadband amplifiers 2 4 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration
bfp193.pdf
BFP 193 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 193 RCs Q62702-F1282 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit
bfp193.pdf
BFP193 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 3 For linear broadband amplifiers 2 4 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz 1 Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Pa
Другие транзисторы: RD9FE, BF850BF, BC857BF, BC858BL3, BF776, BFP182R, BFP182W, BFP183W, 2SD1047, BFP196, BFP405, BFP405F, BFP410, BFP420, BFP450, BFP520F, BFP540
History: BFP405F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194









