Биполярный транзистор BFP420 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP420
Маркировка: AM*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.21 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT343
BFP420 Datasheet (PDF)
bfp420.pdf
SIEGET25 BFP420NPN Silicon RF TransistorFor High Gain Low Noise AmplifiersFor Oscillators up to 10 GHzNoise Figure F = 1.05 dB at 1.8 GHzOutstanding Gms = 20 dB at 1.8 GHzTransition Frequency fT = 25 GHzGold metalization for high reliability SIEGET25-LineSiemens Grounded Emitter Transistor-25 GHz fT-LineESD: Electrostatic discharge sensitive device,observ
bfp420.pdf
BFP420Surface mount wideband silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP420 is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET) that is part ofInfineons established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transitionfrequency fT of 25 GHz, high gain and low current characteristics make the devicesuitable for oscillators up to 10 GHz. It remain
bfp420w.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFP420WDESCRIPTIONHigh Power GainHigh Current Gain Bandwidth ProductLow Noise FigureMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in RF wideband amplifiers and oscillators.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 15 VCBO
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
