BFP420 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP420

Маркировка: AM*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.21 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP420

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP420 даташит

 ..1. Size:70K  siemens
 bfp420.pdf pdf_icon

BFP420

SIEGET 25 BFP420 NPN Silicon RF Transistor For High Gain Low Noise Amplifiers For Oscillators up to 10 GHz Noise Figure F = 1.05 dB at 1.8 GHz Outstanding Gms = 20 dB at 1.8 GHz Transition Frequency fT = 25 GHz Gold metalization for high reliability SIEGET 25-Line Siemens Grounded Emitter Transistor- 25 GHz fT-Line ESD Electrostatic discharge sensitive device, observ

 ..2. Size:391K  infineon
 bfp420.pdf pdf_icon

BFP420

BFP420 Surface mount wideband silicon NPN RF bipolar transistor Product description The BFP420 is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET ) that is part of Infineon s established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz, high gain and low current characteristics make the device suitable for oscillators up to 10 GHz. It remain

 0.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bfp420w.pdf pdf_icon

BFP420

isc Silicon NPN RF Transistor BFP420W DESCRIPTION High Power Gain High Current Gain Bandwidth Product Low Noise Figure Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in RF wideband amplifiers and oscillators. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 15 V CBO

Другие транзисторы: BFP182R, BFP182W, BFP183W, BFP193W, BFP196, BFP405, BFP405F, BFP410, S8550, BFP450, BFP520F, BFP540, BFP540ESD, BFP540FESD, BFP640, BFP640ESD, BFP650