Справочник транзисторов. BFR193F

 

Биполярный транзистор BFR193F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFR193F
   Маркировка: RC*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TSFP3

 Аналоги (замена) для BFR193F

 

 

BFR193F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  infineon
bfr193f.pdf

BFR193F
BFR193F

BFR193FLow Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz23 For linear broadband amplifiers1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free product Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin

 8.1. Size:56K  siemens
bfr193w.pdf

BFR193F
BFR193F

BFR 193WNPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 193W RCs Q62702-F1510 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCol

 8.2. Size:56K  siemens
bfr193.pdf

BFR193F
BFR193F

BFR 193NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 193 RCs Q62702-F1218 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollec

 8.3. Size:495K  infineon
bfr193l3.pdf

BFR193F
BFR193F

BFR193L3NPN Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz3 For linear broadband amplifiers1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz 2 Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBFR193L

 8.4. Size:655K  infineon
bfr193w.pdf

BFR193F
BFR193F

BFR193WLow Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers3 21 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration Pac

 8.5. Size:626K  infineon
bfr193.pdf

BFR193F
BFR193F

BFR193Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration PackageBFR

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N2222 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top