BFR193F - описание и поиск аналогов

 

BFR193F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BFR193F
   Маркировка: RC*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.63 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TSFP3

 Аналоги (замена) для BFR193F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR193F - технические параметры

 ..1. Size:536K  infineon
bfr193f.pdfpdf_icon

BFR193F

BFR193F Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz 2 3 For linear broadband amplifiers 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free product Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin

 8.1. Size:56K  siemens
bfr193w.pdfpdf_icon

BFR193F

BFR 193W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 193W RCs Q62702-F1510 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Col

 8.2. Size:56K  siemens
bfr193.pdfpdf_icon

BFR193F

BFR 193 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers fT = 8GHz F = 1.3dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 193 RCs Q62702-F1218 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collec

 8.3. Size:655K  infineon
bfr193w.pdfpdf_icon

BFR193F

BFR193W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers 3 2 1 fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Pac

Другие транзисторы... BFP760 , BFP780 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD , BFP843 , BFP843F , BFQ790 , 2SB817 , BFR193L3 , BFR193W , BFR360L3 , BFR380F , BFR740EL3 , BFR740L3RH , BFR840L3RHESD , BFR843EL3 .

History: RN2108FS

 

 
Back to Top

 


 
.