Биполярный транзистор L2SC2412KQLT3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: L2SC2412KQLT3G
Маркировка: BQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для L2SC2412KQLT3G
L2SC2412KQLT3G Datasheet (PDF)
l2sc2412kqlt1g l2sc2412kqlt3g l2sc2412krlt1g l2sc2412krlt3g l2sc2412kslt1g l2sc2412kslt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2412
l2sc2412kqlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SeriesS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2
l2sc2412kqlt1g l2sc2412krlt1g l2sc2412kslt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2412
l2sc2412kqmt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SC2412KQMT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteSeriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC2412KQMT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MMBTA70LT1 | CHEMD22GP
History: MMBTA70LT1 | CHEMD22GP



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor