LBC807-40LT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBC807-40LT3G

Маркировка: 5C1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для LBC807-40LT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC807-40LT3G даташит

 ..1. Size:184K  lrc
 lbc807-16lt1g lbc807-16lt3g lbc807-25lt1g lbc807-25lt3g lbc807-40lt1g lbc807-40lt3g.pdf pdf_icon

LBC807-40LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G FEATURE Collector current capability IC = -500 mA. LBC807-25LT1G Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. LBC807-40LT1G General purpose switching and amplification. S-LBC807-16LT1G PNP complement LBC807 Series. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC8

 3.1. Size:138K  lrc
 lbc807-16lt1g lbc807-25lt1g lbc807-40lt1g.pdf pdf_icon

LBC807-40LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G FEATURE LBC807-25LT1G LBC807-40LT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. 3 PNP complement LBC807 Series. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKIN

 3.2. Size:184K  lrc
 lbc807-40lt1g.pdf pdf_icon

LBC807-40LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G FEATURE Collector current capability IC = -500 mA. LBC807-25LT1G Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. LBC807-40LT1G General purpose switching and amplification. S-LBC807-16LT1G PNP complement LBC807 Series. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC8

 5.1. Size:107K  lrc
 lbc807-40wt1g.pdf pdf_icon

LBC807-40LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. LBC807-40WT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION S-LBC807-40WT1G Device Marking Package Shipping LBC807-40WT1G YL SOT-323 3000/Tape&Reel S-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L9014SLT3G, L9014TLT3G, L9015QLT3G, L9015RLT3G, L9015SLT3G, LBC807-16LT3G, LBC807-25LT3G, LBC807-25WT3G, S9014, LBC807-40WT3G, LBC817-16DPMT3G, LBC817-25DPMT3G, LBC817-40DPMT3G, LBC817-40WT3G, LBC846ADW1T3G, LBC846ALT3G, LBC846AWT3G