LBC817-25DPMT3G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор LBC817-25DPMT3G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: LBC817-25DPMT3G
   Маркировка: 56B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT-23-6

Аналоги (замена) для LBC817-25DPMT3G

LBC817-25DPMT3G Datasheet (PDF)

0.1. Size:557K lrc
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g lbc817-16dpmt3g lbc817-25dpmt3g lbc817-40dpmt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC

1.1. Size:557K lrc
lbc817-16dpmt1g lbc817-25dpmt1g lbc817-40dpmt1g.pdf