Справочник транзисторов. LBC847CLT3G

 

Биполярный транзистор LBC847CLT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LBC847CLT3G
   Маркировка: 1G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LBC847CLT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  lrc
 lbc846alt1g lbc846alt3g lbc846blt1g lbc846blt3g lbc847alt1g lbc847alt3g lbc847blt1g lbc847blt3g lbc847clt1g lbc847clt3g lbc848alt1g lbc848alt3g.pdf pdf_icon

LBC847CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1 LBC846ALT1GS-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model: >4000 VESD Rating Machine Model: >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3and Control C

 ..2. Size:404K  lrc
 lbc847clt3g lbc848alt1g lbc848alt3g lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g.pdf pdf_icon

LBC847CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1 LBC846ALT1GS-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model: >4000 VESD Rating Machine Model: >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Chang

 5.1. Size:404K  lrc
 lbc847clt1g.pdf pdf_icon

LBC847CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1 LBC846ALT1GS-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model: >4000 VESD Rating Machine Model: >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Chang

 5.2. Size:402K  lrc
 lbc846alt1g lbc846blt1g lbc847alt1g lbc847blt1g lbc847clt1g lbc848alt1g lbc848blt1g lbc848clt1g lbc849blt1g lbc849clt1g lbc850blt1g lbc850clt1g.pdf pdf_icon

LBC847CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model: >4000 VS-LBC846ALT1GESD Rating Machine Model: >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: CXTA14 | BSYP06 | BFS98M | DRC3A43E | BUL147 | BU2508D

 

 
Back to Top

 


 
.