LBC848CLT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBC848CLT3G

Маркировка: 1L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LBC848CLT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC848CLT3G даташит

 ..1. Size:402K  lrc
 lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g lbc848blt1g.pdf pdf_icon

LBC848CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control C

 ..2. Size:227K  lrc
 lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g.pdf pdf_icon

LBC848CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC846ALT1G Moisture Sensitivity Level 1 Series ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO Vdc SOT 23 LBC846 6

 ..3. Size:404K  lrc
 lbc847clt3g lbc848alt1g lbc848alt3g lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g.pdf pdf_icon

LBC848CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chang

 5.1. Size:402K  lrc
 lbc846alt1g lbc846blt1g lbc847alt1g lbc847blt1g lbc847clt1g lbc848alt1g lbc848blt1g lbc848clt1g lbc849blt1g lbc849clt1g lbc850blt1g lbc850clt1g.pdf pdf_icon

LBC848CLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V S-LBC846ALT1G ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LBC847CLT3G, LBC847CPDW1T3G, LBC847CTT1G, LBC848ALT3G, LBC848BDW1T3G, LBC848BLT3G, LBC848BPDW1T3G, LBC848CDW1T3G, 2SC945, LBC848CPDW1T3G, LBC849BLT1G, LBC849BLT3G, LBC849CLT1G, LBC849CLT3G, LBC850BLT3G, LBC850CLT3G, LBC856ADW1T1G