LBTN180Z4TZHG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBTN180Z4TZHG

Маркировка: NA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.833 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для LBTN180Z4TZHG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBTN180Z4TZHG даташит

 ..1. Size:1078K  lrc
 lbtn180z4tzhg.pdf pdf_icon

LBTN180Z4TZHG

LBTN180Z4TZHG S-LBTN180Z4TZHG 80V NPN medium power transistors 1. FEATURES High current Three current gain selections High power dissipation capability We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. SOT223 S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 q

 7.1. Size:708K  lrc
 lbtn180y3t1g.pdf pdf_icon

LBTN180Z4TZHG

LBTN180Y3T1G S-LBTN180Y3T1G NPN power transistors 1 2 1. FEATURES 3 High current High power dissipation capability SOT89 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring 2 unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. 1 2.

Другие транзисторы: LBC859CLT3G, LBSS4240LT3G, LBSS4250Y3T1G, LBSS4350SY3T1G, LBSS5240LT3G, LBSS5250Y3T1G, LBSS5350SY3T1G, LBTN180Y3T1G, 2SC828, LBTP180Y3T1G, LBTP460Z4TZHG, LDTA114EET1G, LDTA114TET1G, LDTA114YET1G, LDTA115EET1G, LDTA123EET1G, LDTA123JET1G