LDTD123YLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LDTD123YLT1G

Маркировка: F62

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LDTD123YLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTD123YLT1G даташит

 ..1. Size:369K  lrc
ldtd123ylt1g.pdfpdf_icon

LDTD123YLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123YLT1G with Monolithic Bias Resistor Network S-LDTD123YLT1G Applications Inverter, Interface, Driver Features 3 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 1 2) The bias res

 ..2. Size:369K  lrc
ldtd123ylt1g ldtd123ylt3g.pdfpdf_icon

LDTD123YLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123YLT1G with Monolithic Bias Resistor Network S-LDTD123YLT1G Applications Inverter, Interface, Driver Features 3 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 1 2) The bias res

 6.1. Size:350K  lrc
ldtd123yet1g.pdfpdf_icon

LDTD123YLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123YET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 7.1. Size:326K  lrc
ldtd123tet1g.pdfpdf_icon

LDTD123YLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123TET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

Другие транзисторы: LDTA124EET1G, LDTA124XET1G, LDTA143EET1G, LDTA143TET1G, LDTA143ZET1G, LDTA144EET1G, LDTA144WET1G, LDTC144WM3T5G, BD139, LDTD123YLT3G, LH8050PLT3G, LH8050QLT3G, LH8550PLT3G, LH8550QLT3G, LMBT2222ADW1T3G, LMBT2222ALT3G, LMBT2222ATT3G