Справочник транзисторов. LMBT2222ALT3G

 

Биполярный транзистор LMBT2222ALT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT2222ALT3G
   Маркировка: 1P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для LMBT2222ALT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT2222ALT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  lrc
lmbt2222alt1g lmbt2222alt3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ALT3G

LMBT2222ALT1GS-LMBT2222ALT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDev

 3.1. Size:503K  lrc
lmbt2222alt1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ALT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ALT1GFEATURESS-LMBT2222ALT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.32) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12SOT-23DEVICE MARKING AN

 5.1. Size:62K  lrc
lmbt2222awt1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ALT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for generalpurpose amplifier applications. They are LMBT2222AWT1Ghoused in the SOT323/SC70 package whichS-LMBT2222AWT1Gis designed for low power surface mountapplications.We declare that the material of product 3compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive a

 5.2. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ALT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

Другие транзисторы... LDTC144WM3T5G , LDTD123YLT1G , LDTD123YLT3G , LH8050PLT3G , LH8050QLT3G , LH8550PLT3G , LH8550QLT3G , LMBT2222ADW1T3G , C5198 , LMBT2222ATT3G , LMBT2907ALT3G , LMBT2907AWT3G , LMBT2907LT1G , LMBT2907LT3G , LMBT3904DW1T3G , LMBT3904LT3G , LMBT3904TT3G .

History: 2SC1986

 

 
Back to Top

 


 
.