LMBT3906LT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT3906LT3G

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT3906LT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3906LT3G даташит

 ..1. Size:357K  lrc
 lmbt3906lt1g lmbt3906lt3g.pdf pdf_icon

LMBT3906LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906LT1G ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping LMBT3906LT1G 2A 3000

 4.1. Size:632K  lrc
 lmbt3906lt1g.pdf pdf_icon

LMBT3906LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT3906LT1G S-LMBT3906LT1G FEATURES 1) We declare that the material of product compliant with 3 RoHS requirements and Halogen Free. 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING I

 6.1. Size:1148K  lrc
 lmbt3906n3t5g.pdf pdf_icon

LMBT3906LT3G

LMBT3906N3T5G 3 S-LMBT3906N3T5G 1 General Purpose Transistors PNP Silicon 2 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with SOT883 RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. COLLECTOR 3 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INF

 6.2. Size:584K  lrc
 lmbt3906wt1g.pdf pdf_icon

LMBT3906LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT3906WT1G FEATURES S-LMBT3906WT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBT2907ALT3G, LMBT2907AWT3G, LMBT2907LT1G, LMBT2907LT3G, LMBT3904DW1T3G, LMBT3904LT3G, LMBT3904TT3G, LMBT3904WT3G, BD140, LMBT3906N3T5G, LMBT3906TT3G, LMBT3906WT3G, LMBT3946DW1T1G, LMBT3946DW1T3G, LMBT4401LT3G, LMBT4401WT3G, LMBT4403LT3