Справочник транзисторов. LMBT3946DW1T3G

 

Биполярный транзистор LMBT3946DW1T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT3946DW1T3G
   Маркировка: 46
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для LMBT3946DW1T3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3946DW1T3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:664K  lrc
lmbt3946dw1t1g lmbt3946dw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT3946DW1T3G

LMBT3946DW1T1GS-LMBT3946DW1T1GDual General Purpose Transistors PNP/NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.Low VCE(sat), 0.4 VS

 2.1. Size:664K  lrc
lmbt3946dw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT3946DW1T3G

LMBT3946DW1T1GS-LMBT3946DW1T1GDual General Purpose Transistors PNP/NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.Low VCE(sat), 0.4 VS

 8.1. Size:414K  lrc
lmbt3904n3t5g.pdfpdf_icon

LMBT3946DW1T3G

LMBT3904N3T5GS-LMBT3904N3T5GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT883 qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Mar

 8.2. Size:1148K  lrc
lmbt3906n3t5g.pdfpdf_icon

LMBT3946DW1T3G

LMBT3906N3T5G3S-LMBT3906N3T5G1General Purpose Transistors PNP Silicon21. FEATURES We declare that the material of product compliance withSOT883RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. COLLECTOR32. DEVICE MARKING AND ORDERING INF

Другие транзисторы... LMBT3904LT3G , LMBT3904TT3G , LMBT3904WT3G , LMBT3906LT3G , LMBT3906N3T5G , LMBT3906TT3G , LMBT3906WT3G , LMBT3946DW1T1G , BC548 , LMBT4401LT3G , LMBT4401WT3G , LMBT4403LT3 , LMBT5401DW1T3G , LMBT5401LT3G , LMBT5541DW1T3G , LMBT5550LT1G , LMBT5550LT3G .

 

 
Back to Top

 


 
.