LMBT4403LT3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT4403LT3

Маркировка: 2T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT4403LT3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT4403LT3 даташит

 ..1. Size:347K  lrc
 lmbt4403lt1g lmbt4403lt3.pdf pdf_icon

LMBT4403LT3

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT4403LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT4403LT1G S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 1 LMBT4403LT1G 2T

 4.1. Size:347K  lrc
 lmbt4403lt1g.pdf pdf_icon

LMBT4403LT3

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT4403LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT4403LT1G S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 1 LMBT4403LT1G 2T

 6.1. Size:393K  lrc
 lmbt4403dw1t1g.pdf pdf_icon

LMBT4403LT3

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL SMALL SIGNAL SURFACE LMBT4403DW1T1G MOUNT TRANSISTOR S-LMBT4403DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 6 5 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 4 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. ORDERING INFORMATION 1 2 3 Device Marking Shipping

 6.2. Size:380K  lrc
 lmbt4403wt1g.pdf pdf_icon

LMBT4403LT3

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT4403WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT4403WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 ORDERING INFORMATION Marking Device Shipping 1 LMBT4403WT1G 2T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBT3906LT3G, LMBT3906N3T5G, LMBT3906TT3G, LMBT3906WT3G, LMBT3946DW1T1G, LMBT3946DW1T3G, LMBT4401LT3G, LMBT4401WT3G, TIP31C, LMBT5401DW1T3G, LMBT5401LT3G, LMBT5541DW1T3G, LMBT5550LT1G, LMBT5550LT3G, LMBT5551DW1T3G, LMBT5551LT3G, LMBT6428LT3G