Биполярный транзистор LMBT4403LT3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBT4403LT3
Маркировка: 2T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для LMBT4403LT3
LMBT4403LT3 Datasheet (PDF)
lmbt4403lt1g lmbt4403lt3.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconLMBT4403LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LMBT4403LT1G S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping1LMBT4403LT1G2T
lmbt4403lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconLMBT4403LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LMBT4403LT1G S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping1LMBT4403LT1G2T
lmbt4403dw1t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL SMALL SIGNAL SURFACE LMBT4403DW1T1GMOUNT TRANSISTORS-LMBT4403DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.65 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site4and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.ORDERING INFORMATION123Device Marking Shipping
lmbt4403wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconLMBT4403WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LMBT4403WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATIONMarkingDevice Shipping1LMBT4403WT1G2T
Другие транзисторы... LMBT3906LT3G , LMBT3906N3T5G , LMBT3906TT3G , LMBT3906WT3G , LMBT3946DW1T1G , LMBT3946DW1T3G , LMBT4401LT3G , LMBT4401WT3G , 100DA025D , LMBT5401DW1T3G , LMBT5401LT3G , LMBT5541DW1T3G , LMBT5550LT1G , LMBT5550LT3G , LMBT5551DW1T3G , LMBT5551LT3G , LMBT6428LT3G .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971