Биполярный транзистор LMBT5401LT3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBT5401LT3G
Маркировка: 2L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для LMBT5401LT3G
LMBT5401LT3G Datasheet (PDF)
lmbt5401lt1g lmbt5401lt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5401LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and S-LMBT5401LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping3LMBT5401LT1G
lmbt5401lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5401LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and S-LMBT5401LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping3LMBT5401LT1G
lmbt5401dw1t1g lmbt5401dw1t3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5401DW1T1GFEATURES-LMBT5401DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.65DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 4De
lmbt5401dw1t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5401DW1T1GFEATURES-LMBT5401DW1T1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.65DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 4De
Другие транзисторы... LMBT3906TT3G , LMBT3906WT3G , LMBT3946DW1T1G , LMBT3946DW1T3G , LMBT4401LT3G , LMBT4401WT3G , LMBT4403LT3 , LMBT5401DW1T3G , 2SC2073 , LMBT5541DW1T3G , LMBT5550LT1G , LMBT5550LT3G , LMBT5551DW1T3G , LMBT5551LT3G , LMBT6428LT3G , LMBT6517LT3G , LMBT6520LT3G .
History: 2SC3450 | 2SC3391 | 2SC2073T1TL
History: 2SC3450 | 2SC3391 | 2SC2073T1TL



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907