Справочник транзисторов. LMBTA56LT3G

 

Биполярный транзистор LMBTA56LT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBTA56LT3G
   Маркировка: 2GM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для LMBTA56LT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBTA56LT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  lrc
lmbta56lt1g lmbta56lt3g.pdfpdf_icon

LMBTA56LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA56LT1GFEATURESS-LMBTA56LT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.32) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011 Qualified and PPAP Capable.2SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING

 5.1. Size:85K  lrc
lmbta55lt1g lmbta56lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA56LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA55LT1GWe declare that the material of productLMBTA56LT1Gcompliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1GQualified and PPAP Capable.MAXIMUM RATINGS3ValueRating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni

 5.2. Size:600K  lrc
lmbta56lt1g.pdfpdf_icon

LMBTA56LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA56LT1GFEATURESS-LMBTA56LT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.32) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011 Qualified and PPAP Capable.2SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING

 7.1. Size:126K  lrc
lmbta56wt1g.pdfpdf_icon

LMBTA56LT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA55WT1GLMBTA56WT1GWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.S-LMBTA55WT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA56WT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAXIMUM RATINGSValueRating Symbol LMBTA55 LMBTA56 U

Другие транзисторы... LMBT5550LT3G , LMBT5551DW1T3G , LMBT5551LT3G , LMBT6428LT3G , LMBT6517LT3G , LMBT6520LT3G , LMBTA42LT3G , LMBTA43LT3G , TIP35C , LMBTA92LT3G , LMBTA93LT1G , LMBTA93LT3G , LMBTH10LT3G , SL9013SLT3G , 2SA1012B , 3DD13001B , 3DD13003N3 .

History: SRA2202EF

 

 
Back to Top

 


 
.