LMBTA56LT3G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: LMBTA56LT3G
Маркировка: 2GM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBTA56LT3G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBTA56LT3G даташит
lmbta56lt1g lmbta56lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA56LT1G FEATURES S-LMBTA56LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable. 2 SOT 23 DEVICE MARKING AND ORDERING
lmbta55lt1g lmbta56lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G We declare that the material of product LMBTA56LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1G Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS 3 Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni
lmbta56lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA56LT1G FEATURES S-LMBTA56LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable. 2 SOT 23 DEVICE MARKING AND ORDERING
lmbta56wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55WT1G LMBTA56WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTA55WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA56WT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS Value Rating Symbol LMBTA55 LMBTA56 U
Другие транзисторы: LMBT5550LT3G, LMBT5551DW1T3G, LMBT5551LT3G, LMBT6428LT3G, LMBT6517LT3G, LMBT6520LT3G, LMBTA42LT3G, LMBTA43LT3G, BD335, LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, LMBTA93LT3G, LMBTH10LT3G, SL9013SLT3G, 2SA1012B, 3DD13001B, 3DD13003N3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor




