Биполярный транзистор LMBTA56LT3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBTA56LT3G
Маркировка: 2GM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для LMBTA56LT3G
LMBTA56LT3G Datasheet (PDF)
lmbta56lt1g lmbta56lt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA56LT1GFEATURESS-LMBTA56LT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.32) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011 Qualified and PPAP Capable.2SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING
lmbta55lt1g lmbta56lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA55LT1GWe declare that the material of productLMBTA56LT1Gcompliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA55LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA56LT1GQualified and PPAP Capable.MAXIMUM RATINGS3ValueRating Symbol LMBTA55 LMBTA56 Uni
lmbta56lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA56LT1GFEATURESS-LMBTA56LT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.32) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011 Qualified and PPAP Capable.2SOT23DEVICE MARKING AND ORDERING
lmbta56wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsPNP SiliconLMBTA55WT1GLMBTA56WT1GWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.S-LMBTA55WT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA56WT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAXIMUM RATINGSValueRating Symbol LMBTA55 LMBTA56 U
Другие транзисторы... LMBT5550LT3G , LMBT5551DW1T3G , LMBT5551LT3G , LMBT6428LT3G , LMBT6517LT3G , LMBT6520LT3G , LMBTA42LT3G , LMBTA43LT3G , TIP35C , LMBTA92LT3G , LMBTA93LT1G , LMBTA93LT3G , LMBTH10LT3G , SL9013SLT3G , 2SA1012B , 3DD13001B , 3DD13003N3 .
History: SRA2202EF
History: SRA2202EF



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor