LMBTH10LT3G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: LMBTH10LT3G
Маркировка: 3EM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBTH10LT3G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBTH10LT3G даташит
lmbth10lt1g lmbth10lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF/UHF Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and LMBTH10LT1G Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Ordering Information S-LMBTH10LT1G Device Marking Shipping LMBTH10LT1G 3 3000/Tape&Reel 3EM S-LMBTH10LT1
lmbth10lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF/UHF Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and LMBTH10LT1G Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Ordering Information S-LMBTH10LT1G Device Marking Shipping LMBTH10LT1G 3 3000/Tape&Reel 3EM S-LMBTH10LT1
lmbth10qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF/UHF Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. LMBTH10QLT1G Ordering Information S-LMBTH10QLT1G Device Marking Shipping LMBTH10QLT1G 3000/Tape&Reel 3EQ 3 S-LMBTH1
lmbth10wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF/UHF Transistors Featrues LMBTH10WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTH10WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 ORDERING INFORMATION 1 Device Marking Shipping 2 LMBTH10WT1G 3E 3000/Tape&Reel
Другие транзисторы: LMBT6517LT3G, LMBT6520LT3G, LMBTA42LT3G, LMBTA43LT3G, LMBTA56LT3G, LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, LMBTA93LT3G, BC546, SL9013SLT3G, 2SA1012B, 3DD13001B, 3DD13003N3, 3DD13005ND66, 3DD13007N36F, AD-2SC2412-Q, AD-2SC2412-R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984




