Биполярный транзистор LMBTH10LT3G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LMBTH10LT3G
Маркировка: 3EM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBTH10LT3G
LMBTH10LT3G Datasheet (PDF)
lmbth10lt1g lmbth10lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and LMBTH10LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.Ordering Information S-LMBTH10LT1GDevice Marking ShippingLMBTH10LT1G33000/Tape&Reel3EMS-LMBTH10LT1
lmbth10lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and LMBTH10LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.Ordering Information S-LMBTH10LT1GDevice Marking ShippingLMBTH10LT1G33000/Tape&Reel3EMS-LMBTH10LT1
lmbth10qlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.LMBTH10QLT1GOrdering InformationS-LMBTH10QLT1GDevice Marking ShippingLMBTH10QLT1G3000/Tape&Reel3EQ3S-LMBTH1
lmbth10wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF TransistorsFeatruesLMBTH10WT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTH10WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3ORDERING INFORMATION1Device Marking Shipping2LMBTH10WT1G3E 3000/Tape&Reel
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BD439 | 2N3499L | BC161-25 | 2N3502 | LMBT6428LT3G
History: BD439 | 2N3499L | BC161-25 | 2N3502 | LMBT6428LT3G
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050