SL9013SLT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SL9013SLT3G

Маркировка: 13S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для SL9013SLT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SL9013SLT3G даташит

 ..1. Size:155K  lrc
 l9013plt1g l9013plt3g l9013qlt1g l9013qlt3g l9013rlt1g l9013rlt3g l9013slt1g l9013slt3g s-l9013plt1g s-l9013plt3g s-l9013qlt1g s-l9013qlt3g s-l9013rlt1g s-l9013rlt3g s-9013slt1g sl9013slt3g.pdf pdf_icon

SL9013SLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon L9013PLT1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Series S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-L9013PLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

Другие транзисторы: LMBT6520LT3G, LMBTA42LT3G, LMBTA43LT3G, LMBTA56LT3G, LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, LMBTA93LT3G, LMBTH10LT3G, TIP35C, 2SA1012B, 3DD13001B, 3DD13003N3, 3DD13005ND66, 3DD13007N36F, AD-2SC2412-Q, AD-2SC2412-R, AD-2SC2412-S