3DD13001B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13001B

Маркировка: 13001S6B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 420 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD13001B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13001B даташит

 ..1. Size:632K  jiangsu
 3dd13001b.pdf pdf_icon

3DD13001B

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13001B TRANSISTOR (NPN) FEATURE power switching applications TO-92 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER Equivalent Circuit 13001 13001=Device code S 6B S 6B=Code 1 ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 3DD13001B TO-92 Bulk 1000pcs/Bag B-TA

 6.1. Size:529K  secos
 3dd13001.pdf pdf_icon

3DD13001B

3DD13001 0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications A D B CLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 3DD13001-A 3DD13001-B E C F Range 17 23 20 26 G H 1Base 1 1 1 3 2Collector 2 2 2 Emitter 3Emitter 3 3 3

 6.2. Size:2110K  jiangsu
 3dd13001.pdf pdf_icon

3DD13001B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 3DD13001 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. COLLECTOR FEATURES Power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 450 V VEBO Emitter-Base Volta

 6.3. Size:222K  lge
 3dd13001.pdf pdf_icon

3DD13001B

3DD13001(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. BASE 4.45 5.21 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4.32 2.92 5.33 MIN Features power switching applications 3.43 MIN 2.41 2.67 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.18 2.03 4.19 Symbol Parameter Value Units 2.67 1.14 VCBO Collector -Base Voltage 600 V 1.40 2.03 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 2.67 VEB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBTA43LT3G, LMBTA56LT3G, LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, LMBTA93LT3G, LMBTH10LT3G, SL9013SLT3G, 2SA1012B, 8050, 3DD13003N3, 3DD13005ND66, 3DD13007N36F, AD-2SC2412-Q, AD-2SC2412-R, AD-2SC2412-S, AD-BC846-A, AD-BC846-B