Справочник транзисторов. 3DD13003N3

 

Биполярный транзистор 3DD13003N3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13003N3
   Маркировка: 13003N3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 3DD13003N3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:812K  jiangsu
3dd13003n3.pdfpdf_icon

3DD13003N3

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistor3DD13003N3 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1 . BASE Power switching applications Good high temperature2. COLLECTOR Low saturation voltage3. EMITTER High speed switching Equivalent Circuit Logo13003N3=Device code 13003N3ORDERING INFORMATION Part Number Package Packi

 6.1. Size:2520K  secos
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003N3

3DD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADMillimeter REF. Min. Max. BA 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Collector E 0.36 0.56 2 E CF 0.36 0.51 FG 1.27 TYP. H 1.10 - J 2

 6.2. Size:711K  jiangsu
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003N3

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 3DD13003B TRANSISTOR( NPN ) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES 3. BASE power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Vol

 6.3. Size:5166K  jiangsu
3dd13003.pdfpdf_icon

3DD13003N3

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13003 TRANSISTOR ( NPN ) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Power Switching Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base V

Другие транзисторы... LMBTA56LT3G , LMBTA92LT3G , LMBTA93LT1G , LMBTA93LT3G , LMBTH10LT3G , SL9013SLT3G , 2SA1012B , 3DD13001B , 9014 , 3DD13005ND66 , 3DD13007N36F , AD-2SC2412-Q , AD-2SC2412-R , AD-2SC2412-S , AD-BC846-A , AD-BC846-B , AD-BC847-A .

History: BU806F | BUR24 | MPS6591 | BCW35X | BUH50 | BFP450

 

 
Back to Top

 


 
.