3DD13005ND66 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005ND66

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 420 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DD13005ND66

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005ND66 даташит

 ..1. Size:468K  jiangsu
3dd13005nd66.pdfpdf_icon

3DD13005ND66

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistor TO-220-3L 3DD13005ND66 TRANSISTOR (NPN) BASE 1 . FEATURES 2. COLLECTOR Power switching applic

 5.1. Size:148K  crhj
3dd13005n7d.pdfpdf_icon

3DD13005ND66

NPN R 3DD13005 N7D 3DD13005 N7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 60

 5.2. Size:155K  crhj
3dd13005n8d.pdfpdf_icon

3DD13005ND66

NPN R 3DD13005 N8D 3DD13005 N8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 75

 6.1. Size:440K  1
3dd13005md.pdfpdf_icon

3DD13005ND66

Другие транзисторы: LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, LMBTA93LT3G, LMBTH10LT3G, SL9013SLT3G, 2SA1012B, 3DD13001B, 3DD13003N3, TIP31, 3DD13007N36F, AD-2SC2412-Q, AD-2SC2412-R, AD-2SC2412-S, AD-BC846-A, AD-BC846-B, AD-BC847-A, AD-BC847-B