Справочник транзисторов. AD-MMBT5401

 

Биполярный транзистор AD-MMBT5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: AD-MMBT5401
   Маркировка: 2L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для AD-MMBT5401

 

 

AD-MMBT5401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  jiangsu
ad-mmbt5401.pdf

AD-MMBT5401
AD-MMBT5401

www.jscj-elec.com AD-MMBT5401 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT5401 series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT5401 series Transistor (PNP) FEATURES Complementary to AD-MMBT5551 series For medium power amplification and switching AEC-Q101 qualified MARKING 2L = Device code 2L Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec

 6.1. Size:651K  jiangsu
ad-mmbt5551.pdf

AD-MMBT5401
AD-MMBT5401

www.jscj-elec.com AD-MMBT5551 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT5551 Series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT5551 series Transistor (NPN) FEATURES Complementary to AD-MMBT5401 series Ideal for medium power amplification and switching AEC-Q101 qualified MARKING G1 = Device code G1 EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Versio

 7.1. Size:627K  jiangsu
ad-mmbta56.pdf

AD-MMBT5401
AD-MMBT5401

www.jscj-elec.com AD-MMBTA56 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA56 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA56 Transistor (PNP) FEATURES General purpose amplifier applications AEC-Q101 qualified MARKING 2GM = Device code 2GM Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA56 MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise specifie

 7.2. Size:645K  jiangsu
ad-mmbta28.pdf

AD-MMBT5401
AD-MMBT5401

www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA28 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA28 Transistor (NPN) FEATURES High current gain AEC-Q101 qualified MARKING 3SS = Device code 3SS EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherw

 7.3. Size:652K  jiangsu
ad-mmbt3906.pdf

AD-MMBT5401
AD-MMBT5401

www.jscj-elec.com AD-MMBT3906 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT3906 series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT3906 series Transistor (PNP) FEATURES Complementary to AD-MMBT3904 series AEC-Q101 qualified MARKING 2A = Device code 2A X X = Date code Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBT3906 series MAXIM

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top