3DD4251T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4251T

Маркировка: 4251T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 19

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для 3DD4251T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4251T даташит

 ..1. Size:804K  jilin sino
3dd4251t.pdfpdf_icon

3DD4251T

 9.1. Size:627K  1
3dd4205d.pdfpdf_icon

3DD4251T

 9.2. Size:642K  jilin sino
3dd4204d.pdfpdf_icon

3DD4251T

Другие транзисторы: 3DD4243DT, 3DD4243DI, 3DD4243DM, 3DD4243DZ, 3DD4244DM, 3DD4244DZ, 3DD4244DV, 3DD4244DR, S9014, 3DD4612DT, 3DD4612DM, 3DD4613H-T, 3DD4613H-R, 3DD4613H-V, 3DD4617H-R, 3DD4617H-U, 3DD4617H-M