Справочник транзисторов. 2SA1209S

 

Биполярный транзистор 2SA1209S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1209S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.14 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SA1209S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1209S Datasheet (PDF)

 7.1. Size:43K  sanyo
 2sa1209 2sc2911 2sc2911.pdf pdf_icon

2SA1209S

Ordering number:ENN779DPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1209/2SC2911160V/140mA High-Voltage Switchingand AF 100W Predriver ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET process.unit:mm High breakdown voltage.2009B Good linearity of hFE and small Cob.[2SA1209/2SC2911] Fast switching speed.8.02.74.03.01.60.80.80.60.5

 7.2. Size:119K  sanyo
 2sa1209.pdf pdf_icon

2SA1209S

Ordering number:EN779CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1209/2SC2911160V/140mA High-Voltage Switchingand AF 100W Predriver ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET process.unit:mm High breakdown voltage.2009A Good linearity of hFE and small Cob.[2SA1209/2SC2911] Fast switching speed.Switching Test CircuitIC=10IB1=10IB2=10mA

 7.3. Size:208K  jmnic
 2sa1209.pdf pdf_icon

2SA1209S

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1209 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC2911 High breakdown voltage Fast switching speed APPLICATIONS High-voltage switching and AF 100W predriver applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25)

 7.4. Size:215K  inchange semiconductor
 2sa1209.pdf pdf_icon

2SA1209S

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1209DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -160V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2911Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage switching and AF 100W predriverapplications.ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2CY31

 

 
Back to Top

 


 
.