3DD4617H-V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4617H-V

Маркировка: 4617H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-251

 Аналоги (замена) для 3DD4617H-V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4617H-V даташит

 6.1. Size:913K  jilin sino
 3dd4617h.pdf pdf_icon

3DD4617H-V

 8.1. Size:311K  jilin sino
 3dd4612dt 3dd4612dm.pdf pdf_icon

3DD4617H-V

 8.2. Size:744K  jilin sino
 3dd4615h.pdf pdf_icon

3DD4617H-V

 8.3. Size:595K  jilin sino
 3dd4611ht.pdf pdf_icon

3DD4617H-V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4612DT, 3DD4612DM, 3DD4613H-T, 3DD4613H-R, 3DD4613H-V, 3DD4617H-R, 3DD4617H-U, 3DD4617H-M, B772, 3DD4617H-C, K8050S-B, K8050S-C, K8050S-D, K8550S-C, K8550S-D, K8550S-E, KA1980S-O