KA1980S-Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KA1980S-Y

Маркировка: CAY*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KA1980S-Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KA1980S-Y даташит

 7.1. Size:640K  kodenshi
 ka1980s.pdf pdf_icon

KA1980S-Y

KA1980S PNP Silicon Transistor Description PIN Connection General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with KC5343S Ordering Information Type NO. Marking Package Code CA KA1980S SOT-23 Device Code HFE Grade Yea

Другие транзисторы: 3DD4617H-C, K8050S-B, K8050S-C, K8050S-D, K8550S-C, K8550S-D, K8550S-E, KA1980S-O, 2SD313, KA1980S-G, KA1980S-L, KBC807-16, KBC807-25, KBC807-40, KBC817-16, KBC817-25, KBC817-40