Справочник транзисторов. BC547CTFR

 

Биполярный транзистор BC547CTFR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BC547CTFR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC547CTFR

 

 

BC547CTFR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  onsemi
bc546abu bc546ata bc546bta bc546btf bc546cta bc547ata bc547b bc547bbu bc547bta bc547btf bc547cbu bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

BC547CTFR
BC547CTFR

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:60K  st
bc547b bc547c.pdf

BC547CTFR
BC547CTFR

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B - THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

 8.2. Size:26K  fairchild semi
bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf

BC547CTFR
BC547CTFR

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. Size:377K  taiwansemi
bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdf

BC547CTFR
BC547CTFR

BC546A/B/C - BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi

 8.5. Size:81K  diotec
bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf

BC547CTFR
BC547CTFR

BC546xBK ... BC549xBKBC546xBK ... BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 

Back to Top