Биполярный транзистор BC549BTA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC549BTA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC549BTA Datasheet (PDF)
bc546abu bc546ata bc546bta bc546btf bc546cta bc547ata bc547b bc547bbu bc547bta bc547btf bc547cbu bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

bc549b-c bc550b-c.pdf

Low Noise TransistorsBC549B,CNPN SiliconBC550B,CMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC549 BC550 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdc1Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW2Derate above 25C 5.0 mW/C 3Total Device Dissipation @ TC = 25
bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdf

BC546A/B/C - BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MRF654 | BC33716TFR | 2SA1837 | 2SC3426 | 2N3636UB
History: MRF654 | BC33716TFR | 2SA1837 | 2SC3426 | 2N3636UB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement