BC550CBU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC550CBU

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC550CBU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC550CBU даташит

 ..1. Size:314K  onsemi
bc546abu bc546ata bc546bta bc546btf bc546cta bc547ata bc547b bc547bbu bc547bta bc547btf bc547cbu bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdfpdf_icon

BC550CBU

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:377K  taiwansemi
bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdfpdf_icon

BC550CBU

BC546A/B/C - BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi

 9.1. Size:110K  motorola
bc549 bc550.pdfpdf_icon

BC550CBU

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC549B/D Low Noise Transistors NPN Silicon BC549B,C BC550B,C COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol BC549 BC550 Unit CASE 29 04, STYLE 17 Collector Emitter Voltage VCEO 30 45 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 30 50 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collec

Другие транзисторы: BC547CTA, BC547CTFR, BC548BTA, BC548BU, BC548CTA, BC549BTA, BC549BTF, BC549CTA, BC558, BC550CTA, BC556ABU, BC556ATA, BC556BTA, BC556BTF, BC556BTFR, BC557ATA, BC557BTA