Справочник транзисторов. 2SA1215O

 

Биполярный транзистор 2SA1215O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SA1215O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: MT200

 Аналоги (замена) для 2SA1215O

 

 

2SA1215O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:203K  jmnic
2sa1215.pdf

2SA1215O
2SA1215O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1215 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SC2921 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIO

 7.2. Size:27K  sanken-ele
2sa1215.pdf

2SA1215O

LAPT 2SA1215Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2921)Application : Audio and General PurposeExternal Dimensions MT-200 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit0.26.00.336.4VCBO 160 V ICBO VCB=160V 100max A0.224.42.1VCEO 160 V IEBO VEB=

 7.3. Size:913K  jilin sino
2sa1215 2sc2921.pdf

2SA1215O
2SA1215O

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R2SC2921(NPN) 2SA1215(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =160V (min) High collector voltageV =160V (min) CEO CEO NPN-PNP Complementary NPN-

 7.4. Size:220K  inchange semiconductor
2sa1215.pdf

2SA1215O
2SA1215O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1215DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -160V(Min)(BR)CEOHigh Power DissipationComplement to Type 2SC2921Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top