2SA1215O - описание и поиск аналогов

 

2SA1215O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1215O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: MT200

 Аналоги (замена) для 2SA1215O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1215O даташит

 7.1. Size:203K  jmnic
2sa1215.pdfpdf_icon

2SA1215O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1215 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SC2921 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIO

 7.2. Size:27K  sanken-ele
2sa1215.pdfpdf_icon

2SA1215O

LAPT 2SA1215 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2921) Application Audio and General Purpose External Dimensions MT-200 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit 0.2 6.0 0.3 36.4 VCBO 160 V ICBO VCB= 160V 100max A 0.2 24.4 2.1 VCEO 160 V IEBO VEB=

 7.3. Size:913K  jilin sino
2sa1215 2sc2921.pdfpdf_icon

2SA1215O

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R 2SC2921(NPN) 2SA1215(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =160V (min) High collector voltage V =160V (min) CEO CEO NPN-PNP Complementary NPN-

 7.4. Size:220K  inchange semiconductor
2sa1215.pdfpdf_icon

2SA1215O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1215 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation Complement to Type 2SC2921 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

Другие транзисторы: 2SA1210, 2SA1210R, 2SA1210S, 2SA1210T, 2SA1211, 2SA1213, 2SA1214, 2SA1215, S9013, 2SA1215P, 2SA1215Y, 2SA1216, 2SA1216G, 2SA1216O, 2SA1216P, 2SA1216Y, 2SA1217

 

 

 

 

↑ Back to Top
.