Справочник транзисторов. BC559CTA

 

Биполярный транзистор BC559CTA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC559CTA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC559CTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  onsemi
bc556abu bc556ata bc556bta bc556btf bc556btfr bc557ata bc557bta bc557btf bc558bta bc559bta bc559cta bc560cta.pdfpdf_icon

BC559CTA

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.1. Size:80K  diotec
bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdfpdf_icon

BC559CTA

BC556xBK ... BC559xBKBC556xBK ... BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

 9.1. Size:107K  motorola
bc559 bc560.pdfpdf_icon

BC559CTA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC559/DLow Noise TransistorsPNP SiliconBC559, B, CBC560CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol BC559 BC560 UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO

 9.2. Size:49K  philips
bc559 4.pdfpdf_icon

BC559CTA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC559PNP general purpose transistor1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor BC559FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: ZTX302M | NSVF4009SG4

 

 
Back to Top

 


 
.