BC636TA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC636TA

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC636TA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC636TA даташит

 ..1. Size:118K  onsemi
bc636ta.pdfpdf_icon

BC636TA

DATA SHEET www.onsemi.com PNP Epitaxial Silicon Transistor TO-92-3 BC636 CASE 135AR Bent Lead 1 2 Features 3 Switching and Amplifier Applications 1. Emitter Complement to BC635 2. Collector These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3. Base Compliant MARKING DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Values are at TA = 25 C unless otherwise noted) P

 9.1. Size:116K  motorola
bc636 bc638 bc640.pdfpdf_icon

BC636TA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC636/D High Current Transistors BC636 PNP Silicon BC638 COLLECTOR BC640 2 3 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 BC BC BC 636 638 640 Rating Symbol Unit CASE 29 04, STYLE 14 TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 45 60 80 Vdc Collector Base Voltage VCBO 45 60 80 Vdc Emitt

 9.2. Size:136K  philips
bc636 bcp51 bcx51.pdfpdf_icon

BC636TA

BC636; BCP51; BCX51 45 V, 1 A PNP medium power transistors Rev. 08 22 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP medium power transistor series. Table 1. Product overview Type number[1] Package NPN complement NXP JEITA JEDEC BC636[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC635 BCP51 SOT223 SC-73 - BCP54 BCX51 SOT89 SC-62 TO-243 BCX54 [1] Valid for all available

 9.3. Size:49K  philips
bc636 bc638 bc640 3.pdfpdf_icon

BC636TA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC636; BC638; BC640 PNP medium power transistors 1999 Apr 23 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 07 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BC636; BC638; BC640 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 base 2 collector APPLI

Другие транзисторы: BC556BTFR, BC557ATA, BC557BTA, BC557BTF, BC558BTA, BC559BTA, BC559CTA, BC560CTA, S9013, BC638TA, BC640TA, BC818-40L, BC846AMTF, BC846BDW1, BC846BMTF, BC846CLT1G, BC846CMTF