2SA1215Y. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1215Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: MT200
Аналоги (замена) для 2SA1215Y
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1215Y даташит
2sa1215.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1215 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SC2921 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIO
2sa1215.pdf
LAPT 2SA1215 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2921) Application Audio and General Purpose External Dimensions MT-200 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit 0.2 6.0 0.3 36.4 VCBO 160 V ICBO VCB= 160V 100max A 0.2 24.4 2.1 VCEO 160 V IEBO VEB=
2sa1215 2sc2921.pdf
Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R 2SC2921(NPN) 2SA1215(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =160V (min) High collector voltage V =160V (min) CEO CEO NPN-PNP Complementary NPN-
2sa1215.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1215 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation Complement to Type 2SC2921 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll
Другие транзисторы: 2SA1210S, 2SA1210T, 2SA1211, 2SA1213, 2SA1214, 2SA1215, 2SA1215O, 2SA1215P, D880, 2SA1216, 2SA1216G, 2SA1216O, 2SA1216P, 2SA1216Y, 2SA1217, 2SA1218, 2SA1219
History: 2SA1533 | ZTX3711L | 2SA153 | BSV33L | DTC023JUB | ZT42 | BSV25L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet



