BC847CDXV6T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC847CDXV6T5G

Маркировка: 1G*_1M*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для BC847CDXV6T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847CDXV6T5G даташит

 ..1. Size:96K  onsemi
bc847cdxv6t1g bc847cdxv6t5g bc848cdxv6t1g.pdfpdf_icon

BC847CDXV6T5G

BC847CDXV6T1G, BC847CDXV6T5G, BC848CDXV6T1G Dual General Purpose Transistors http //onsemi.com NPN Duals (3) (2) (1) These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. Q1 Q2 Features These are Pb-Free Devices (4) (5) (6) BC847CDXV6T1 MAXIMUM RATINGS Rating Symb

 3.1. Size:68K  onsemi
bc848cdxv6t1g bc847cdxv6t1g.pdfpdf_icon

BC847CDXV6T5G

BC847CDXV6T1, BC847CDXV6T5 BC848CDXV6T1, BC848CDXV6T5 Dual General Purpose http //onsemi.com Transistors NPN Duals (3) (2) (1) These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for Q1 Q2 low power surface mount applications. Lead-Free Solder Plating (4) (5) (6) MAXIMUM RATINGS BC847CDXV6T1 Rating Symb

 3.2. Size:132K  onsemi
bc847cdxv6t1g bc848cdxv6t1g.pdfpdf_icon

BC847CDXV6T5G

Другие транзисторы: BC846BMTF, BC846CLT1G, BC846CMTF, BC847AMTF, BC847BM3T5G, BC847BMTF, BC847BPDW1, BC847BTT1, 2SA1015, BC847CMTF, BC847CTT1, BC848BMTF, BC848CMTF, BC848CPDW1, BC849CLT3G, BC850AMTF, BC850CMTF