Справочник транзисторов. BD787G

 

Биполярный транзистор BD787G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD787G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO225
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD787G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  onsemi
bd787g bd788g.pdfpdf_icon

BD787G

BD787G (NPN),BD788G (PNP)Complementary PlasticSilicon Power TransistorsThese devices are designed for lower power audio amplifier andlow current, high-speed switching applications.http://onsemi.comFeatures4 AMPERES Low Collector-Emitter Sustaining VoltagePOWER TRANSISTORS High Current-Gain - Bandwidth ProductCOMPLEMENTARY SILICON These Devices are Pb-Free and

 9.1. Size:148K  motorola
bd787 bd788.pdfpdf_icon

BD787G

Order this documentMOTOROLAby BD787/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD787PNPComplementary Plastic SiliconBD788Power Transistors. . . designed for lower power audio amplifier and low current, highspeed switchingapplications.4 AMPERE Low CollectorEmitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORSVCEO(sus) 60 Vdc (Min) BD787, BD788COMPLEMENTARY High C

 9.2. Size:78K  onsemi
bd787 bd788.pdfpdf_icon

BD787G

BD787 - NPN, BD788 - PNPComplementary PlasticSilicon Power TransistorsThese devices are designed for lower power audio amplifier andlow current, high-speed switching applications.Featureshttp://onsemi.com Low Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) 60 Vdc (Min)4 AMPERES High Current-Gain - Bandwidth Product -fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdcPOWER TRANSISTORS

 9.3. Size:208K  inchange semiconductor
bd787.pdfpdf_icon

BD787G

isc Silicon NPN Power Transistor BD787DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40~250(Min)@ I = 0.2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = 60V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD788Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low power audio amplifier and low current,high-speed switching applications

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BC860AR | TPCP8601

 

 
Back to Top

 


 
.