BD788G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD788G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO225

 Аналоги (замена) для BD788G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD788G даташит

 ..1. Size:92K  onsemi
 bd787g bd788g.pdf pdf_icon

BD788G

BD787G (NPN), BD788G (PNP) Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high-speed switching applications. http //onsemi.com Features 4 AMPERES Low Collector-Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORS High Current-Gain - Bandwidth Product COMPLEMENTARY SILICON These Devices are Pb-Free and

 9.1. Size:148K  motorola
 bd787 bd788.pdf pdf_icon

BD788G

Order this document MOTOROLA by BD787/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD787 PNP Complementary Plastic Silicon BD788 Power Transistors . . . designed for lower power audio amplifier and low current, high speed switching applications. 4 AMPERE Low Collector Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORS VCEO(sus) 60 Vdc (Min) BD787, BD788 COMPLEMENTARY High C

 9.2. Size:78K  onsemi
 bd787 bd788.pdf pdf_icon

BD788G

BD787 - NPN, BD788 - PNP Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high-speed switching applications. Features http //onsemi.com Low Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) 60 Vdc (Min) 4 AMPERES High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc POWER TRANSISTORS

 9.3. Size:210K  inchange semiconductor
 bd788.pdf pdf_icon

BD788G

isc Silicon PNP Power Transistor BD788 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40 250(Min)@ I = -0.2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD787 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low power audio amplifier and low current, high-speed switching applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD14010STU, BD14016S, BD14016STU, BD433S, BD435S, BD435STU, BD437S, BD787G, MJE340, BF720T3G, BU406TU, EMX2DXV6T5, FJA4213OTU, FJA4213RTU, FJD5555TM, FJL4215OTU, FJL4215RTU