Справочник транзисторов. BD788G

 

Биполярный транзистор BD788G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD788G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO225
 

 Аналог (замена) для BD788G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD788G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  onsemi
bd787g bd788g.pdfpdf_icon

BD788G

BD787G (NPN),BD788G (PNP)Complementary PlasticSilicon Power TransistorsThese devices are designed for lower power audio amplifier andlow current, high-speed switching applications.http://onsemi.comFeatures4 AMPERES Low Collector-Emitter Sustaining VoltagePOWER TRANSISTORS High Current-Gain - Bandwidth ProductCOMPLEMENTARY SILICON These Devices are Pb-Free and

 9.1. Size:148K  motorola
bd787 bd788.pdfpdf_icon

BD788G

Order this documentMOTOROLAby BD787/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD787PNPComplementary Plastic SiliconBD788Power Transistors. . . designed for lower power audio amplifier and low current, highspeed switchingapplications.4 AMPERE Low CollectorEmitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORSVCEO(sus) 60 Vdc (Min) BD787, BD788COMPLEMENTARY High C

 9.2. Size:78K  onsemi
bd787 bd788.pdfpdf_icon

BD788G

BD787 - NPN, BD788 - PNPComplementary PlasticSilicon Power TransistorsThese devices are designed for lower power audio amplifier andlow current, high-speed switching applications.Featureshttp://onsemi.com Low Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) 60 Vdc (Min)4 AMPERES High Current-Gain - Bandwidth Product -fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdcPOWER TRANSISTORS

 9.3. Size:210K  inchange semiconductor
bd788.pdfpdf_icon

BD788G

isc Silicon PNP Power Transistor BD788DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40~250(Min)@ I = -0.2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD787Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low power audio amplifier and low current,high-speed switching applicatio

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD343 | LDTD114EET1G | BU107 | KT3129D9 | BF140R

 

 
Back to Top

 


 
.