FJP5027. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJP5027

Маркировка: J5027

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для FJP5027

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP5027 даташит

 ..1. Size:59K  fairchild semi
 fjp5027.pdf pdf_icon

FJP5027

FJP5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

 ..2. Size:238K  onsemi
 fjp5027.pdf pdf_icon

FJP5027

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJP13007H1TU, FJP13007H1TU-F080, FJP13007H2TU, FJP13007H2TU-F080, FJP13007TU, FJP13009TU, FJP1943OTU, FJP1943RTU, 8550, FJPF13009H1TU, FJPF13009H2TU, FJPF2145TU, FJT44KTF, FJT44TF, KSA1015GRTA, KSA1015YTA, KSC2383OTA