Справочник транзисторов. MSD601-RT1

 

Биполярный транзистор MSD601-RT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSD601-RT1
   Маркировка: YR*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SC59
 

 Аналог (замена) для MSD601-RT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSD601-RT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  onsemi
 msd601-rt1 msd601-st1.pdf pdf_icon

MSD601-RT1

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc1 2BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl

 0.1. Size:42K  onsemi
 msd601-rt1-d.pdf pdf_icon

MSD601-RT1

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc2 1BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl

 0.2. Size:83K  onsemi
 msd601-rt1g.pdf pdf_icon

MSD601-RT1

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc1 2BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl

 6.1. Size:110K  motorola
 msd601-r.pdf pdf_icon

MSD601-RT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSD601RT1/DNPN General Purpose Amplifier*MSD601-RT1Transistors Surface MountCOLLECTORMSD601-ST13*Motorola Preferred Device2 13BASE EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C) 21Rating Symbol Value UnitCollectorBase Voltage V(BR)CBO 60 VdcCASE 318D03, STYLE 1CollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MPSA42RL1G , MPSA42RLRAG , MPSA42RLRMG , MPSA42RLRPG , MPSA42ZL1G , MSB1218A , MSB92AS1WT1G , MSC2712YT1G , 13007 , MSD601-ST1 , NJV4030P , NJVMJB44H11 , NJVMJB45H11 , NJVMJD31CT4G-VF01 , NJVMJD32CT4G-VF01 , NSB4904DW1T2G , NSS1C200MZ4 .

History: 2SB676 | 2N4272 | 2SC2611 | 2SD1639 | 2SC3422 | MMBT4403W

 

 
Back to Top

 


 
.