NSS20200DMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS20200DMT

Маркировка: AT*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 155 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: WDFN6

 Аналоги (замена) для NSS20200DMT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS20200DMT даташит

 ..1. Size:202K  onsemi
 nss20200dmt.pdf pdf_icon

NSS20200DMT

DATA SHEET www.onsemi.com Low VCE(sat) PNP Transistors 20 Volt, 2 Amp PNP Low VCE(sat) Transistors 20 V, 2 A NSS20200DMT MARKING DIAGRAM onsemi s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are 1 6 miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage WDFN6 AT MG 2 5 (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use CASE 506AN G 3 4 1

 6.1. Size:126K  onsemi
 nss20200l-d.pdf pdf_icon

NSS20200DMT

NSS20200LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 6.2. Size:126K  onsemi
 nss20200lt1g.pdf pdf_icon

NSS20200DMT

NSS20200LT1G, NSV20200LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These -20 VOLTS are designed for use in low voltage, high speed switching applications 4.0 AMPS where affordable

 6.3. Size:190K  onsemi
 nss20200lt1g nsv20200lt1g.pdf pdf_icon

NSS20200DMT

NSS20200LT1G, NSV20200LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) www.onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These -20 VOLTS are designed for use in low voltage, high speed switching applications 4.0 AMPS where affordable ef

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MSD601-ST1, NJV4030P, NJVMJB44H11, NJVMJB45H11, NJVMJD31CT4G-VF01, NJVMJD32CT4G-VF01, NSB4904DW1T2G, NSS1C200MZ4, D882, NSS40300MZ4, NSS40301MZ4, NSS60101DMR6, NSS60200DMT, NSS60200L, NSS60201SMT, NSS60600MZ4, NST1601CL