Биполярный транзистор NSS20200DMT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSS20200DMT
Маркировка: AT*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 155 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: WDFN6
Аналоги (замена) для NSS20200DMT
NSS20200DMT Datasheet (PDF)
nss20200dmt.pdf
DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) PNP Transistors 20 Volt, 2 AmpPNP Low VCE(sat) Transistors20 V, 2 ANSS20200DMT MARKINGDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1 6miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltageWDFN6AT MG2 5(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for useCASE 506ANG3 41
nss20200l-d.pdf
NSS20200LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa
nss20200lt1g.pdf
NSS20200LT1G,NSV20200LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These-20 VOLTSare designed for use in low voltage, high speed switching applications4.0 AMPSwhere affordable
nss20200lt1g nsv20200lt1g.pdf
NSS20200LT1G,NSV20200LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)www.onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These-20 VOLTSare designed for use in low voltage, high speed switching applications4.0 AMPSwhere affordable ef
nss20200w6.pdf
NSS20200W620 V, 3.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is important
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SA1873 | 2SA1468 | 2SB1152
History: 2SA1873 | 2SA1468 | 2SB1152
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050